厦门市三安光电科技有限公司江宾获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安光电科技有限公司申请的专利一种发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111491934.6，技术领域涉及：H10H29/856；该发明授权一种发光二极管是由江宾;臧雅姝;张中英;彭康伟;陈思河;龙思怡;曾明俊;陈功;曾炜竣设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管，发光二极管包括：衬底、设置于衬底表面的第一半导体层、设置于第一半导体层表面的凸出部及第一反射结构，其中，第一半导体层的表面包括第一导电区和第二导电区；凸出部设置于第一半导体层的第一导电区内，且凸出部在第一半导体层的表面依次包括有源层和第二半导体层；第一反射结构设置于每个凸出部内且贯穿第二半导体层、有源层和至少部分第一半导体层，第一半导体层的材料包括AlxGa1‑xN，其中X取值介于0～1，发光二极管的辐射光的波长介于200～320nm。由上，本发明能够有效缩短外延层内光的传播路径，减少光被外延层，尤其是第一半导体层的吸收，提高光的出光效率。
本发明授权一种发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： 衬底； 第一半导体层，设置于衬底的表面，所述第一半导体层的表面包括第一导电区和第二导电区；所述第一半导体层的材料包括AlxGa1-xN，其中X取值介于0~1； 凸出部，设置于所述第一半导体层的第一导电区内，且所述凸出部在所述第一半导体层的表面依次包括有源层和第二半导体层，所述凸出部沿平行所述衬底的一个方向上延伸并形成多个间隔设置的延伸部； 第一反射结构，设置于每个所述凸出部内且贯穿所述第二半导体层、有源层和至少部分第一半导体层，在每个所述延伸部上，所述第一反射结构的个数为多个，且多个所述第一反射结构沿所述延伸部的延伸方向上依次排布； 其中，所述发光二极管的辐射光的波长介于200nm~320nm。
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