买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制备方法、三维存储器及存储设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111463123.5，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器及存储设备是由张权;姚兰;华子群;石艳伟设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法、三维存储器及存储设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器及存储设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决三维存储器外围电路的集成度较低问题。所述半导体结构可以划分为高压阱区和低压阱区；半导体结构包括：基底，包括第一凹槽和至少一个第二凹槽，第一凹槽位于高压阱区，第二凹槽位于低压阱区；第一隔离结构，设置于第一凹槽内；第一隔离结构的厚度大于第一凹槽的深度；第二隔离结构，设置于第二凹槽内；第二隔离结构的厚度小于第二凹槽的深度；第一栅氧化层，位于高压阱区；第一栅氧化层设置于基底的表面上，且露出第一隔离结构。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。

本发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器及存储设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一阱区和第二阱区；所述第一阱区为高压阱区；所述第二阱区为低压阱区；所述低压阱区包括第一低压阱区和第二低压阱区；所述第二低压阱区设置于所述第一低压阱区远离所述高压阱区一侧； 基底，包括第一凹槽和至少一个第二凹槽，所述第一凹槽位于所述第一阱区，所述第二凹槽位于所述第二阱区； 第一隔离结构，设置于所述第一凹槽内；所述第一隔离结构的厚度大于所述第一凹槽的深度； 第二隔离结构，设置于所述第二凹槽内；所述第二隔离结构的厚度小于所述第二凹槽的深度；所述第一低压阱区和所述第二低压阱区分别设置有所述第二隔离结构； 第一栅氧化层，位于所述第一阱区；所述第一栅氧化层设置于所述基底的表面上，且露出所述第一隔离结构； 第二栅氧化层，位于所述第一低压阱区，所述第二栅氧化层设置于所述基底上，且覆盖所述第二隔离结构； 第三栅氧化层，位于所述第二低压阱区，所述第三栅氧化层设置于所述基底上，且覆盖所述第二隔离结构；所述第三栅氧化层与所述第二栅氧化层连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。