赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司裘进获国家专利权
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龙图腾网获悉赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司申请的专利一种射频模块、制作方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111447605.1，技术领域涉及：H01L23/02；该发明授权一种射频模块、制作方法及电子设备是由裘进;陆原;张光瑞;王志良;李立伟;张栓;梁骥;李佩笑;陈学志设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种射频模块、制作方法及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种射频模块、制作方法及电子设备，包括：衬底晶圆；微同轴结构，位于衬底晶圆上，射频芯片，倒装在微同轴结构上；侧墙，位于衬底晶圆上，且围绕微同轴结构设置；盖板晶圆，通过侧墙与衬底晶圆键合，盖板晶圆上设置有硅通孔以及与硅通孔连接的信号端口，硅通孔通过导体柱与微同轴结构连接。该射频模块能在满足高频通信的基础上，还具有较高的气密性，从而不仅提高了射频性能，并有效保护了内部器件。
本发明授权一种射频模块、制作方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种射频模块，其特征在于，包括： 衬底晶圆； 微同轴结构，位于所述衬底晶圆上， 射频芯片，倒装在所述微同轴结构上； 侧墙，位于所述衬底晶圆上，且围绕所述微同轴结构设置； 盖板晶圆，通过所述侧墙与所述衬底晶圆键合，所述盖板晶圆上设置有硅通孔以及与所述硅通孔连接的信号端口，所述硅通孔通过导体柱与所述微同轴结构连接； 所述衬底晶圆上还设置有引线，所述射频芯片倒装在所述微同轴结构与所述引线上，所述射频芯片的第一端口与所述微同轴结构的端口连接，所述射频芯片的第二端口与所述引线连接，所述盖板晶圆上设置有第一硅通孔、第二硅通孔、与所述第一硅通孔连接的第一信号端口以及与所述第二硅通孔连接的第二信号端口；所述微同轴结构的端口通过第一导体柱与所述第一硅通孔连接，所述引线通过第二导体柱与所述第二硅通孔连接； 其中，所述第一硅通孔与所述微同轴结构连接的所述第一信号端口作为所述射频芯片的信号输入输出端口，所述第二硅通孔与所述引线连接的所述第二信号端口作为所述射频芯片的直流信号端口。
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