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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111413874.6，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体器件及其制备方法是由许昭昭;田甜设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的制备方法，在所述存储区的所述第一侧墙结构侧以及所述控制栅上形成第三侧墙结构，同时也在所述逻辑区的栅极结构两侧形成第三侧墙结构；然后再分别在所述存储区的第三侧墙结构两侧以及所述逻辑区的第三侧墙结构两侧形成第四侧墙结构。本发明还提供一种半导体器件。本申请通过在所述存储区先形成所述第三侧墙结构，再形成所述第四侧墙结构，使得所述控制栅和浮栅的横向长度对应增加了所述第三侧墙结构的横向长度，同时存储区器件的总的横向长度可以保持不变，使得本申请可以在不增加存储区器件的面积的同时，增加控制栅的长度，增加控制栅与浮栅交叠的面积，从而提高控制栅至浮栅的耦合系数，提高控制栅的控制能力。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底包含存储区和逻辑区，所述衬底上形成有堆叠的栅氧化层、浮栅、ONO介质层、控制栅和氮化硅层； 依次在所述存储区形成第一侧墙结构、第二侧墙结构、隧穿氧化层、选择栅和选择栅氧化层，其中，所述第一侧墙结构位于所述氮化硅层中，所述第二侧墙结构位于所述控制栅和所述ONO介质层中且覆盖所述第一侧墙结构的部分侧面，所述隧穿氧化层位于所述浮栅和所述栅氧化层中且覆盖所述第二侧墙结构和所述第一侧墙结构的剩余侧面； 去除所述逻辑区的所述氮化硅层、所述控制栅、所述ONO介质层、所述浮栅和所述栅氧化层； 在所述逻辑区的衬底表面形成栅极结构； 对所述逻辑区的所述栅极结构两侧的衬底进行离子注入以形成第一LDD区； 去除所述存储区的第一侧墙结构两侧的所述氮化硅层； 分别在所述存储区的第一侧墙结构两侧以及所述逻辑区的栅极结构两侧形成第三侧墙结构； 去除所述存储区的第三侧墙结构两侧的所述控制栅、所述ONO介质层、所述浮栅和所述栅氧化层； 对所述存储区的第三侧墙结构两侧的衬底进行离子注入以形成第二LDD区；以及， 分别在所述存储区的第三侧墙结构两侧以及所述逻辑区的第三侧墙结构两侧形成第四侧墙结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。