武汉华星光电技术有限公司宋继越获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利一种显示面板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111363940.3，技术领域涉及：H10K59/60；该发明授权一种显示面板及其制作方法是由宋继越;艾飞设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种显示面板及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种显示面板及其制作方法，其包括：阵列基板，包括：用于形成薄膜晶体管的晶体管器件层；以及感光器件层，所述感光器件层与所述晶体管器件层分布于所述显示面板的不同功能区，所述感光器件层包括用于形成对环境光进行感测的感光结构件；其中，所述晶体管器件层包括有源层，所述感光结构件包括至少一个半导体层，所述感光结构件的至少一个所述半导体层与所述有源层属于同一结构层。
本发明授权一种显示面板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括： 阵列基板，包括： 用于形成薄膜晶体管的晶体管器件层；以及 感光器件层，所述感光器件层与所述晶体管器件层分布于所述显示面板的不同功能区，所述感光器件层包括用于形成对环境光进行感测的感光结构件；其中，所述晶体管器件层包括有源层，所述感光结构件包括至少一个半导体层，所述感光结构件的至少一个所述半导体层与所述有源层属于同一结构层； 所述感光结构件包括下半导体层及形成于下半导体层表面的上半导体层； 所述晶体管器件层包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述上半导体层与所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层属于同一结构层；所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述下半导体层与所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层属于同一结构层，所述上半导体层和所述下半导体层形成PN结。
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