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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种栅控快速离化晶体管及其对称结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300536B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111350203.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种栅控快速离化晶体管及其对称结构是由汤晓燕;郭登耀;宋庆文;张玉明设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种栅控快速离化晶体管及其对称结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种栅控快速离化晶体管，自下而上依次包括：阴极金属、衬底、外延层、阳极金属以及栅金属；其中，外延层内部设有第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第四掺杂区；其中，第一掺杂区和第二掺杂区相邻，第三掺杂区位于第二掺杂区内，第四掺杂区位于第三掺杂区内；阳极金属位于第四掺杂区上方；栅金属位于第三掺杂区和第一掺杂区之间的外延层上方，且栅金属与外延层之间还设有栅极和栅介质层。本发明通过栅极控制使器件击穿电压下降，器件发生可逆雪崩击穿产生等离子体器件导通。该设计大大提高了器件输入阻抗，减小了漏电，降低了触发信号的要求，同时也减小了触发信号与工作电流之间的干扰，降低了外围电路设计的复杂度。

本发明授权一种栅控快速离化晶体管及其对称结构在权利要求书中公布了：1.一种栅控快速离化晶体管，其特征在于，自下而上依次包括：阴极金属1、衬底2、外延层3、阳极金属4以及栅金属5；其中， 所述外延层3和所述衬底2异型掺杂；所述外延层3内部设有第一掺杂区31、第二掺杂区32、第三掺杂区33以及第四掺杂区34；所述第一掺杂区31、所述第二掺杂区32以及所述第三掺杂区33的掺杂类型相同，所述第四掺杂区34与所述外延层3的掺杂类型相同；所述第一掺杂区31和所述第四掺杂区34为重掺杂区，所述第二掺杂区32为轻掺杂区，所述第三掺杂区33掺杂浓度比第二掺杂区32高； 所述第一掺杂区31起始于所述外延层3的上表面并向下延伸至所述外延层3的内部； 所述第二掺杂区32位于所述第一掺杂区31左侧的外延层中3，且与所述第一掺杂区31相邻，其厚度与所述第一掺杂区31的厚度相同； 所述第三掺杂区33起始于所述第二掺杂区32的左上角并向右下延伸至所述第二掺杂区32内； 所述第四掺杂区34起始于所述第三掺杂区33的左上角并向右下延伸至所述第三掺杂区33内； 所述阳极金属4位于所述第四掺杂区34上方； 所述栅金属5位于所述第三掺杂区33和所述第一掺杂区31之间的所述外延层3上方，且所述栅金属5与所述外延层3之间还设有栅极6和栅介质层7。

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