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龙图腾网获悉合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038863B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111318605.1，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及其制备方法、显示装置是由程磊磊;张扬;周斌;刘军;刘宁设计研发完成，并于2021-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本公开涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置；该阵列基板包括衬底基板、第一导电层、保护层、层间介电层及第二导电层；第一导电层设于衬底基板的一侧，第一导电层包括连接部；保护层设于第一导电层的远离衬底基板的一侧，保护层上设置有第一过孔，第一过孔连通至连接部；层间介电层设于保护层的远离衬底基板的一侧，层间介电层上设置有第二过孔，第二过孔与第一过孔连通，第二过孔在衬底基板上的正投影与保护层在衬底基板上的正投影有交叠；第二导电层设于层间介电层的远离衬底基板的一侧，第二导电层通过第一过孔和第二过孔与连接部连接。该阵列基板不容易产生接触不良、显示效果好。

本发明授权阵列基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底基板； 在所述衬底基板的一侧形成第一导电层，所述第一导电层包括连接部； 在所述第一导电层的远离所述衬底基板的一侧形成保护材料层，对所述保护材料层进行处理形成保护层，所述保护材料层的材质是光感型有机硅，所述光感型有机硅曝光后形成氧化硅； 在所述保护层的远离所述衬底基板的一侧形成层间介电材料层，对所述层间介电材料层采用CF4等离子体和O2等离子体的混合物进行干法刻蚀形成第二过孔以及层间介电层，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影与所述保护层在所述衬底基板上的正投影有交叠； 对所述保护层进行图案化处理形成第一过孔，所述第一过孔连通至所述连接部，所述第二过孔与所述第一过孔连通； 在所述层间介电层的远离所述衬底基板的一侧形成第二导电层，所述第二导电层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述连接部连接； 所述对所述保护材料层进行处理形成保护层，包括： 对与所述连接部相对的所述保护材料层进行半曝光处理，其余的所述保护材料层进行全曝光处理，以使被曝光的所述保护材料层形成隔离层，未被曝光的所述保护材料层形成所述保护层； 在对所述层间介电材料层进行图案化处理形成第二过孔的同时，所述制备方法还包括： 对所述隔离层进行图案化处理形成第三过孔，所述第三过孔与所述第二过孔以及所述第一过孔连通； 其中，在对所述保护层进行图案化处理形成第一过孔之前，所述制备方法还包括： 对所述保护层进行曝光。

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