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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096067B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111309024.1，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由王楠设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，衬底包括若干单元区，单元区包括沿第一方向排列的第一、第二、第三和第四凸立结构，第一凸立结构包括第一区和第二区，第四凸立结构包括第三区和第四区，第一区和第二区的中轴线不重合，第三区和第四区的中轴线不重合；位于衬底上的第一、第二、第三和第四栅极结构，第一栅极结构横跨第一区、第二凸立结构和第三凸立结构，第二栅极结构横跨第三区，第三栅极结构横跨第二区，第四栅极结构横跨第二凸立结构、第三凸立结构和第四区，第一栅极结构和第二栅极结构在第一方向上的中轴线重合，第三栅极结构和第四栅极结构在第一方向上的中轴线重合。所述半导体结构的面积较小。

本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括若干单元区，所述单元区包括沿第一方向依次排列的第一凸立结构、第二凸立结构、第三凸立结构和第四凸立结构，所述第一凸立结构、第二凸立结构、第三凸立结构和第四凸立结构平行于第二方向，所述第一方向和第二方向平行于衬底表面，且所述第二方向与第一方向垂直，所述第一凸立结构包括沿第一凸立结构延伸方向排布的第一区和第二区，所述第四凸立结构包括沿第四凸立结构延伸方向排布的第三区和第四区，所述第一区和第二区在第二方向上的中轴线不重合，所述第三区和第四区在第二方向上的中轴线不重合，所述第二区与第二凸立结构之间的间距大于所述第一区与第二凸立结构之间的间距，所述第三区与第三凸立结构之间的间距大于所述第四区与第三凸立结构之间的间距； 位于衬底上平行于第一方向的第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构和第四栅极结构，所述第一栅极结构横跨所述第一区、第二凸立结构和第三凸立结构，所述第二栅极结构横跨所述第三区，所述第三栅极结构横跨所述第二区，所述第四栅极结构横跨所述第二凸立结构、第三凸立结构和第四区，所述第一栅极结构和第二栅极结构在第一方向上的中轴线重合，所述第三栅极结构和第四栅极结构在第一方向上的中轴线重合； 位于衬底上的第一隔离结构和第二隔离结构，所述第一隔离结构位于第一栅极结构和第二栅极结构之间，所述第一隔离结构位于第三区与第三凸立结构之间，所述第二隔离结构位于第三栅极结构和第四栅极结构之间，所述第二隔离结构位于第二区与第二凸立结构之间。

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