西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院王利明获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院申请的专利用金属纳米颗粒修饰的Ge纳米柱光电探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388649B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111294721.4，技术领域涉及：H10F30/227；该发明授权用金属纳米颗粒修饰的Ge纳米柱光电探测器及制备方法是由王利明;张宁宁;胡辉勇;王博;张一驰;杨茂龙;郝跃凯设计研发完成，并于2021-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本用金属纳米颗粒修饰的Ge纳米柱光电探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了用金属纳米颗粒修饰的Ge纳米柱光电探测器及制备方法，其特征在于，包括：底部电极；本征Ge衬底层，覆盖所述底部电极；多个Ge纳米柱，呈周期性的排布于所述本征Ge衬底层上；所述Ge纳米柱的表面吸附有金属纳米颗粒；所述金属的功函数大于4.46eV；石墨烯电极，覆盖在所述多个Ge纳米柱上，并和所述本征Ge衬底层间隔非导电的介质材料。本发明提供的用金属纳米颗粒修饰的Ge纳米柱光电探测器，暗电流小、光电流以及响应度较高，具有较高的探测性能。
本发明授权用金属纳米颗粒修饰的Ge纳米柱光电探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用金属纳米颗粒修饰的Ge纳米柱光电探测器，其特征在于，包括： 底部电极； 本征Ge衬底层，覆盖所述底部电极； 多个Ge纳米柱，呈周期性的排布于所述本征Ge衬底层上；所述Ge纳米柱的表面吸附有金属纳米颗粒；所述金属的功函数大于4.46eV； 石墨烯电极，覆盖在所述多个Ge纳米柱上，并和所述本征Ge衬底层间隔非导电的介质材料； 所述Ge纳米柱的直径和高度以及相邻Ge纳米柱之间的间隔距离，是基于所述Ge纳米柱光电探测器的探测光波的波长进行仿真确定的； 当所述Ge纳米柱光电探测器是工作波段覆盖1.55微米的红外光电探测器时，所述Ge纳米柱的直径为700纳米，高度为450纳米；所述间隔距离为55纳米。
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