中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司刘继全获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072633B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111277423.4，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘继全设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，衬底包括第一区和第二区；位于衬底上的第一介质结构；位于第一介质结构上的第二刻蚀停止层，第二刻蚀停止层内具有第一开口；位于第一开口内和第二刻蚀停止层上的第二介质层；位于第一介质结构和第二介质层内的第二开口；位于第二介质层内的第三开口；位于第二开口内的第二导电插塞；位于第三开口内的第三导电插塞。由于选择性金属生长工艺中采用金属不易扩散，进而在形成第二导电插塞和第三导电插塞之前不需要再形成阻挡层。另外，第二开口为整体结构，使得位于第一介质结构内的第二导电插塞和位于第二介质层内的第二导电插塞的连接性更好，进而降低了第二导电插塞自身内部的接触电阻。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述衬底内具有导电层，且所述衬底暴露出所述导电层的顶部表面； 位于所述衬底上的第一介质结构，所述第一介质结构内具有第一导电插塞，且所述第一介质结构暴露出所述第一导电插塞的顶部表面，所述第一导电插塞与位于所述第一区内的部分所述导电层电连接； 位于所述第一介质结构和所述第一导电插塞上的第二刻蚀停止层，所述第二刻蚀停止层内具有第一开口，所述第一开口暴露出位于所述第二区上的部分所述第一介质结构的顶部表面； 位于所述第一开口内和所述第二刻蚀停止层上的第二介质层； 位于所述第二区上的所述第一介质结构和所述第二介质层内的第二开口，所述第二开口暴露出位于所述第二区内的部分所述导电层顶部表面； 位于所述第二刻蚀停止层和所述第一区上的所述第二介质层内的第三开口； 位于所述第二开口内的第二导电插塞； 位于所述第三开口内的第三导电插塞。
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