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龙图腾网获悉广州市香港科大霍英东研究院申请的专利一种单层P型半导体相二硒化钒单晶及其盐辅助的生长方法以及其背栅场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114232101B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111246807.X，技术领域涉及：C30B29/46；该发明授权一种单层P型半导体相二硒化钒单晶及其盐辅助的生长方法以及其背栅场效应晶体管是由罗正汤;尤嘉雯设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单层P型半导体相二硒化钒单晶及其盐辅助的生长方法以及其背栅场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单层P型半导体相二硒化钒单晶及其盐辅助的合成方法以及其背栅场效应晶体管，该生长方法采用化学气相沉积法：以金属前驱体五氧化二钒与碘化钾为原料，并将硒粉同时置于管式炉中，加热升温，在炉内进行化学气相沉积反应，得到单层P型半导体相二硒化钒单晶。本生长方法可批量合成过渡金属硫族化合物的薄膜材料，制备条件简单，成本低，重复性好。该单层P型半导体相二硒化钒单晶，结构为单层H相VSe2，同时形态为二维薄膜，厚度均匀。该背栅场效应晶体管是以单层P型半导体相二硒化钒单晶作为材料制备得到，经过实验证明，该器件源漏电流随着栅压正向增大而减小，证明了该半导体材料载流子以空穴为主导，为P型半导体。

本发明授权一种单层P型半导体相二硒化钒单晶及其盐辅助的生长方法以及其背栅场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种单层P型半导体相二硒化钒单晶的盐辅助的生长方法，其特征在于，包括以下步骤： 1）将金属前驱体五氧化二钒与碘化钾混合均匀，得到混合物；步骤1）中，所述金属前驱体五氧化二钒与所述碘化钾的质量比为5～10：2； 2）将步骤1）得到的混合物置于石英舟内，将氟金云母片放置于混合物的上面，然后将盛放有混合物和氟金云母片的石英舟置于管式炉内；同时称取硒粉置于另外的石英舟内，然后将盛放有硒粉的石英舟放置于所述管式炉的进气端，使得通入管式炉的载气先经过盛放有硒粉的石英舟，再经过盛放有混合物和氟金云母片的石英舟；其中，载气为体积比为10：1的氩气和氢气的混合气体； 3）往管式炉通入氩气，除去管式炉内残余的空气； 4）往管式炉内通入载气，然后加热升温，在炉内进行化学气相沉积反应；调节管式炉在10～15min内升至500～700℃，并保温10～20min，在常压下进行化学气相沉积反应； 5）反应结束后，移开管式炉，使衬底暴露于加热区外以迅速冷却；同时关闭氢气，冷却至室温，得到单层P型半导体相二硒化钒单晶。

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