株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社;株式会社迪思科长屋正武获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社;株式会社迪思科申请的专利加工晶片和芯片形成晶片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496885B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111245518.8，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权加工晶片和芯片形成晶片的制造方法是由长屋正武;熊泽辉显;南云裕司;平田和也;野本朝辉设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本加工晶片和芯片形成晶片的制造方法在说明书摘要公布了：一种制造芯片形成晶片的方法，包括：在碳化硅晶片1的第一主表面1a上形成外延膜2，以提供具有与外延膜相邻的一侧20a和另一侧20b的加工晶片20；将激光束L从加工晶片的另一侧照射到加工晶片中，以便沿加工晶片的表面方向形成变质层23；以及以变质层作为边界将加工晶片分离成具有加工晶片的所述一侧的芯片形成晶片50和具有加工晶片的所述另一侧的再循环晶片60。加工晶片在加工晶片的外边缘部分具有斜面部分21，并且在斜面部分中所述另一侧的面积大于所述一侧的面积。
本发明授权加工晶片和芯片形成晶片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造芯片形成晶片的方法，在所述芯片形成晶片上形成有半导体元件，所述方法包括： 制备碳化硅晶片1，其由碳化硅制成并具有第一主表面1a和与所述第一主表面相反的第二主表面1b； 在所述碳化硅晶片的所述第一主表面上形成由碳化硅制成的外延膜2以提供加工晶片20，所述加工晶片具有与所述外延膜相邻的一侧20a和由所述碳化硅晶片制成的另一侧20b； 将激光束L从所述加工晶片的所述另一侧照射到所述加工晶片中，以便沿所述加工晶片的表面方向形成变质层23； 以所述变质层作为边界，将所述加工晶片分离成具有所述加工晶片的所述一侧的芯片形成晶片50和具有所述加工晶片的所述另一侧的再循环晶片60；和 重复使用所述再循环晶片作为碳化硅晶片，其中 所述加工晶片在所述加工晶片的外边缘部分具有斜面部分21，以及 在所述斜面部分中，所述另一侧的面积大于所述一侧的面积， 其中，在制备所述加工晶片时，在从所述另一侧到所述一侧的深度方向上，从所述另一侧和所述斜面部分之间的边界到连接所述一侧和所述另一侧的侧表面20c的深度h小于从所述另一侧到所述变质层的深度H。
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