上海华虹宏力半导体制造有限公司蔡莹获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利带有高压电阻器件的半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111239119.0，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权带有高压电阻器件的半导体结构及其制造方法是由蔡莹;金锋设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本带有高压电阻器件的半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种带有高压电阻器件的半导体结构及其制造方法。结构包括：基底层，基底层包括漏区、源区，以及位于漏区和源区之间的漂移区；第一导电类型高阻区，第一导电类型高阻区位于基底层中，至少延伸穿过漏区、源区和漂移区；漂移区位置处的第一导电类型高阻区上表面，被氧化形成场氧层；场氧层包括间隔环绕若干圈的凸起区和间隔环绕若干圈的凹陷区，相邻两圈凸起区之间间隔一圈凹陷区；多晶硅电阻层，多晶硅电阻层在场氧层上螺旋间隔环绕若干圈，每圈多晶硅电阻层均跨接在凸起区与凹陷区之间的场氧层上。制造方法用于制造上述结构。
本发明授权带有高压电阻器件的半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种带有高压电阻器件的半导体结构，其特征在于，所述带有高压电阻器件的半导体结构包括： 基底层，所述基底层包括漏区、源区，以及位于所述漏区和所述源区之间的漂移区； 第一导电类型高阻区，所述第一导电类型高阻区位于所述基底层中，至少延伸穿过所述漏区、所述源区和所述漂移区；所述漂移区位置处的所述第一导电类型高阻区上表面，被氧化形成场氧层；所述场氧层包括间隔环绕若干圈的凸起区和间隔环绕若干圈的凹陷区，相邻两圈所述凸起区之间间隔一圈所述凹陷区； 多晶硅电阻层，所述多晶硅电阻层在所述场氧层上间隔环绕若干圈，每圈所述多晶硅电阻层均跨接在所述凸起区与凹陷区之间的场氧层上，其中，间隔环绕方式包括螺旋间隔环绕和同心圆间隔环绕。
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