长鑫存储技术有限公司张世明获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116033741B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111243341.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由张世明;文浚硕;肖德元;金若兰设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：包括间隔排布的位线和半导体通道的基底，位线沿第一方向延伸，半导体通道位于位线的部分顶面，且在垂直于位线顶面的方向上，半导体通道包括依次排列的第一区、第二区和第三区；介质层，位于相邻位线之间且位于半导体通道表面；第一栅极层，环绕第二区的介质层且沿第二方向延伸，第一方向与第二方向不同；第二栅极层，环绕第三区的介质层，在垂直于位线顶面的方向上，第二栅极层与第一栅极层间隔设置；绝缘层，位于同一位线上的相邻半导体通道之间且隔离位于相邻介质层上的第一栅极层和第二栅极层。本申请实施例至少可以提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 基底，所述基底包括间隔排布的位线和半导体通道，所述位线沿第一方向延伸，所述半导体通道位于所述位线的部分顶面，且在垂直于所述位线顶面的方向上，所述半导体通道包括依次排列的第一区、第二区以及第三区； 介质层，位于相邻所述位线之间且位于所述半导体通道表面； 第一栅极层，环绕所述第二区的所述介质层且沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向不同； 第二栅极层，环绕所述第三区的所述介质层，在垂直于所述位线顶面的方向上，所述第二栅极层与所述第一栅极层间隔设置； 绝缘层，位于同一所述位线上的相邻所述半导体通道之间且隔离位于相邻所述介质层上的所述第一栅极层和所述第二栅极层； 其中，单一所述第一栅极层沿所述第二方向延伸，且环绕相邻所述位线上的相邻所述半导体通道，单一所述第二栅极层仅环绕单一所述半导体通道。
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