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龙图腾网获悉广东汇芯半导体有限公司申请的专利半导体电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113824348B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111157787.9，技术领域涉及：H02M7/48；该发明授权半导体电路是由冯宇翔;张土明;潘志坚;谢荣才;左安超设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体电路，包括高压集成电路和三相逆变桥，高压集成电路包括PWM信号缓存模块、高压驱动模块、低压驱动模块和自举模块，PWM信号缓存模块电连接高压驱动模块和低压驱动模块；自举模块具有三路信号输入端和三路高侧浮动供电输出端，三路信号输入端对应电连接PWM信号缓存模块的三个电平输出端，三路高侧浮动供电输出端分别对应给三相逆变桥的三个上桥臂供电；高压驱动模块的三路高压驱动输出端分别驱动三相逆变桥的三个上桥臂，低压驱动模块的三路低压驱动输出端分别驱动三相逆变桥的三个下桥臂。本发明技术方案解决了自举电压不稳定，容易造成供电不足或电路失效的问题。

本发明授权半导体电路在权利要求书中公布了：1.一种半导体电路，其特征在于，包括高压集成电路和三相逆变桥，所述高压集成电路包括PWM信号缓存模块、高压驱动模块、低压驱动模块和自举模块，所述PWM信号缓存模块电连接所述高压驱动模块和所述低压驱动模块；所述自举模块具有三路信号输入端和三路高侧浮动供电输出端，所述三路信号输入端对应电连接所述PWM信号缓存模块的三个电平输出端，所述三路高侧浮动供电输出端分别对应给所述三相逆变桥的三个上桥臂供电；所述高压驱动模块的三路高压驱动输出端分别驱动所述三相逆变桥的三个上桥臂，所述低压驱动模块的三路低压驱动输出端分别驱动所述三相逆变桥的三个下桥臂；所述自举模块包括三路相同的自举单元，所述三路信号输入端与所述三路自举单元一一对应，所述三路高侧浮动供电输出端与所述三路自举单元一一对应；每一路所述自举单元均包括储能电容、第一开关管、第二开关管、比较单元和逻辑转换单元； 所述信号输入端电连接所述第一开关管的导通控制端和所述逻辑转换单元的第一输入端，所述高侧浮动供电输出端电连接所述第一开关管的第一导通端和所述第二开关管的第一导通端； 所述比较单元的第一输入端电连接电源，所述比较单元的第二输入端电连接所述第一开关管的第二导通端，所述比较单元的输出端电连接所述逻辑转换单元的第二输入端；所述比较单元包括第一电阻、第二电阻、延时电容和比较器，所述比较器的同相输入端为所述比较单元的第一输入端，所述比较器的反相输入端分别经所述第二电阻和所述延时电容接地； 所述逻辑转换单元的输出端电连接第二开关管的导通控制端，所述第二开关管的第二导通端电连接所述电源，所述第二开关管的第一导通端经所述储能电容接地，所述逻辑转换单元包括施密特触发器、与非门器和反相器； 在所述高侧浮动供电输出端的电压低于预设的第一阈值电压时，所述信号输入端接收到所述PWM信号缓存模块输出的高电平信号，所述第一开关管导通，所述第二开关管导通，所述电源向所述储能电容充电；在所述高侧浮动供电输出端的电压高于预设的第二阈值电压时，所述信号输入端接收所述PWM信号缓存模块输出的低电平信号，所述第一开关管截止，所述第二开关管截止，所述储能电容进行放电。

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