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龙图腾网获悉苏州华博电子科技有限公司申请的专利一种全包围薄膜集成电路的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295420B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111145102.9，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种全包围薄膜集成电路的制备方法及其应用是由陈洋;钱磊;钱海;朱小明设计研发完成，并于2021-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全包围薄膜集成电路的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种全包围薄膜集成电路的制备方法及其应用，步骤方法至少包含以下几步：1陶瓷基片正反面溅射膜层；2光刻胶正面保护；3金属层沉积；4光刻电阻；5陶瓷薄膜正面溅射膜层；6光刻正面图形和引线；7光刻覆盖引线；8全包围化学沉积。本申请制备的一种全包围薄膜集成电路具有良好的使用寿命，侧面腐蚀性，并且有效提高了集成电路的线宽精度，适宜在集成电路领域推广，具有广阔的发展前景。

本发明授权一种全包围薄膜集成电路的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种全包围薄膜集成电路的制备方法，其特征在于：步骤至少包含以下几步：（1）陶瓷基片正反面溅射膜层；（2）光刻胶正面保护；（3）金属层沉积；（4）光刻电阻；（5）陶瓷薄膜正面溅射膜层；（6）光刻正面图形和引线；（7）光刻覆盖引线；（8）全包围化学沉积；所述全包围化学沉积的具体操作为：采用化学沉积的方法，在图形的正面和侧壁都沉积上金属金层，之后用腐蚀液将引线腐蚀完全； 所述陶瓷基片为混合氧化物陶瓷基片，所述混合氧化物陶瓷基片的制备方法，步骤至少包含以下几步：1）将氧化铝粉加入有机酸溶液当中，升温至60~80℃搅拌80~100分钟，搅拌完成后冷却至室温过滤，有机溶剂洗涤，干燥；2）将干燥后的氧化铝粉和钛白粉的混合粉末加入至DMF溶液分散，之后配置含有琥珀酸酐，3-氨丙基三乙氧基硅烷和乙烯基三甲氧基硅烷的DMF溶液并逐滴滴加，升温至80~100℃将溶液一直搅拌反应4~6小时，反应完成后干燥；3）将干燥后的混合粉末，氧化钇，异丙醇，乙酸乙酯，磷酸酯加入球磨机中球磨6~10小时，之后球磨完成后再加入聚乙烯醇缩丁醛，聚乙二醇800，醇醚和二元醇，继续球磨4~6小时，之后真空搅拌20~30分钟，得混合浆料；4）将混合浆料送入流延机，流延成型；将流延成型的生片置入冲片机冲压，调整所需尺寸；5）将生片置入排胶炉，在氮气保护下两次排胶，第一次排胶温度为500~600℃且保温40~60分钟，第二次排胶温度为150~200℃且保温40~60分钟，升温速率皆为5℃分钟；6）将排胶后的生片置入烧结炉，保持烧结温度为1550~1580℃，烧结6~8小时，升温速率为10℃分钟，完成既得；所述氧化铝粉与钛白粉的质量比为98~99.9:0.1~1.5。

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