美光科技公司J·S·雷赫迈耶获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利半导体装置上的热的改进管理及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256094B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111054333.9，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体装置上的热的改进管理及其制造方法是由J·S·雷赫迈耶;C·G·维杜威特设计研发完成，并于2021-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置上的热的改进管理及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及半导体装置上的热的改进管理及其制造方法。本文公开改进存储器模块及其构造方法。所述存储器模块包含具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底，所述第一表面和所述第二表面各自具有中心部分、第一阵列区域和第二阵列区域。所述第一阵列区域在操作期间比所述第二阵列区域冷。所述存储器模块还包含附接到所述第一表面的所述中心部分的电源管理集成电路。所述存储器模块还包含第一半导体裸片，所述第一半导体裸片在所述第一阵列区域中附接到所述衬底。所述第一半导体裸片在高温下具有操作参数的第一性能等级。所述存储器模块还包含第二半导体裸片，所述第二半导体裸片在所述第二阵列区域中附接到所述衬底。所述第二半导体裸片在高温下具有比所述第一性能等级更好的操作参数的第二性能等级。
本发明授权半导体装置上的热的改进管理及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于构造具有两个或多于两个半导体裸片的改进的存储器模块的方法，其包括： 确定在第一温度下所述存储器模块的个别半导体裸片的受温度影响的操作参数的性能等级，其中所述操作参数是来自所述半导体裸片的功耗； 确定在高于所述第一温度的第二温度下的所述个别半导体裸片的所述操作参数的所述性能等级； 基于在所述第一温度和所述第二温度下的所确定的性能等级，识别在高温下受温度影响相对较大的至少一个第一半导体裸片和受温度影响相对较小的至少一个第二半导体裸片； 将所述第一半导体裸片安装在存储器模块衬底的第一阵列区域，并将所述第二半导体裸片安装在所述存储器模块衬底的第二阵列区域，其中所述第一阵列区域在操作期间比所述第二阵列区域冷；及 将电源管理集成电路安装到所述存储器模块衬底的中心部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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