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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利包括层叠的半导体芯片的半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914221B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110987361.X，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装件是由崔福奎设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括层叠的半导体芯片的半导体封装件在说明书摘要公布了：本申请涉及包括层叠的半导体芯片的半导体封装件。一种半导体封装件包括：第一半导体芯片层叠物，其包括在垂直方向上层叠的多个第一半导体芯片；桥式晶片层叠物，其被设置为在水平方向上与第一半导体芯片层叠物间隔开，并且包括在垂直方向上层叠的多个桥式晶片，其中，桥式晶片分别包括贯通电极，并且在垂直方向上对齐的贯通电极通过桥式晶片之间的连接电极彼此连接；重分配层，其设置在第一半导体芯片层叠物和桥式晶片层叠物上方；第二半导体芯片，其设置在重分配层上方，并且被配置为通过在垂直方向上对齐的贯通电极、连接电极和重分配层来接收电压；以及电压调节器，其被配置为调节电压。

本发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，该半导体封装件包括： 第一半导体芯片层叠物，所述第一半导体芯片层叠物包括在垂直方向上层叠的多个第一半导体芯片； 桥式晶片层叠物，所述桥式晶片层叠物被设置为在水平方向上与所述第一半导体芯片层叠物间隔开，并且包括在所述垂直方向上层叠的多个桥式晶片，其中，所述多个桥式晶片分别包括贯通电极，并且在所述垂直方向上对齐的所述贯通电极通过所述多个桥式晶片之间的连接电极彼此连接； 重分配层，所述重分配层被设置在所述第一半导体芯片层叠物和所述桥式晶片层叠物上方； 第二半导体芯片，所述第二半导体芯片被设置在所述重分配层上方，并且通过在所述垂直方向上对齐的所述贯通电极、所述连接电极和所述重分配层来接收电压；以及 电压调节器，所述电压调节器调节所述电压，其中，所述电压调节器包括： 开关，所述开关被包括在所述多个桥式晶片中的最靠近所述第二半导体芯片的最上面的桥式晶片中； 二极管，所述二极管被包括在所述多个桥式晶片中的所述最上面的桥式晶片中； 电容器，所述电容器被包括在所述多个桥式晶片中的除了所述最上面的桥式晶片之外的其余桥式晶片中； 电感器，所述电感器被包括在所述重分配层中；以及 控制器，所述控制器被包括在所述第二半导体芯片中。

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