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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种β-Ga₂O₃薄膜的制备方法及β-Ga₂O₃薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871303B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110939569.4，技术领域涉及：H01L21/365；该发明授权一种β-Ga₂O₃薄膜的制备方法及β-Ga₂O₃薄膜是由张雅超;张涛;冯倩;张进成;马佩军;郝跃设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种β-Ga₂O₃薄膜的制备方法及β-Ga₂O₃薄膜在说明书摘要公布了：本发明公开了一种β‑Ga2O3薄膜的制备方法及β‑Ga2O3薄膜，该方法包括：选取具有一定偏角范围的偏角衬底；对所述偏角衬底进行退火处理；在所述偏角衬底上外延生长第一β‑Ga2O3层；采用脉冲式生长法在所述第一β‑Ga2O3层上外延生长第二β‑Ga2O3层，以得到β‑Ga2O3薄膜。本发明通过采用偏角衬底提高了外延薄膜平整度；同时配合脉冲式生长法极大地降低了薄膜表面的粗糙度，提升了β‑Ga2O3薄膜质量。

本发明授权一种β-Ga₂O₃薄膜的制备方法及β-Ga₂O₃薄膜在权利要求书中公布了：1.一种β-Ga2O3薄膜的制备方法，其特征在于，包括： 选取具有一定偏角范围的偏角衬底； 对所述偏角衬底进行退火处理； 在所述偏角衬底上外延生长第一β-Ga2O3层； 采用脉冲式生长法在所述第一β-Ga2O3层上外延生长第二β-Ga2O3层，以得到β-Ga2O3薄膜； 其中，对所述偏角衬底进行退火处理包括：将所述偏角衬底放入低压MOCVD反应室中，其中，氧气氛围设置为氧气流量为1000-1500sccm，温度为900-950℃，反应室压力为35-45Torr；将所述偏角衬底在上述氧气氛围下热退火20-30min； 在所述偏角衬底上外延生长第一β-Ga2O3层包括：在对β-Ga2O3衬底进行退火处理后，设置工艺条件如下：将反应室温度降低为700-850℃，并保持反应室内压力为35-45Torr；同时打开Ga源和O2气路，并调整Ga源流量为35-40sccm，O2流量为1800-2100sccm；在上述工艺条件下，在所述偏角衬底上外延生长β-Ga2O3薄膜，以形成第一β-Ga2O3层；其中，生长时间为50-60min； 采用脉冲式生长法在所述第一β-Ga2O3层上外延生长第二β-Ga2O3层，包括：保持其他生长参数不变，切换薄膜生长方式为脉冲法，并调整Ga源和O2的脉冲时间比为1:1-1:3；生长30-50个循环周期，以在所述第一β-Ga2O3层上形成第二β-Ga2O3层。

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