南亚科技股份有限公司庄英政获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利制造半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068322B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110900467.1，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权制造半导体结构的方法是由庄英政设计研发完成，并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体结构的方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体结构的方法包括：提供衬底及目标层设置于衬底上方，目标层具有中央区域及周边区域；在中央区域内形成复数个线形鳍特征，其中复数个线形鳍特征相互平行并分别具有不均匀边缘部；以及移除线形鳍特征的不均匀边缘部并得到均匀线形鳍特征，进而提升半导体结构的物理特性、材料特性及品质。
本发明授权制造半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包括： 提供衬底及目标层设置于该衬底上方，该目标层具有中央区域及周边区域； 在该中央区域内形成复数个线形鳍特征，其中该些线形鳍特征相互平行并分别具有均匀部及不均匀边缘部；以及 移除该些线形鳍特征的该不均匀边缘部，保留该些线形鳍特征的该均匀部，其中该均匀部的尺寸不变，并得到均匀线形鳍特征。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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