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龙图腾网获悉南开大学申请的专利一种基于PIN异质结两端人工突触及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122260B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110893895.6，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权一种基于PIN异质结两端人工突触及其制备方法是由徐文涛;龚江东;卫欢欢设计研发完成，并于2021-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于PIN异质结两端人工突触及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明为一种基于PIN异质结两端人工突触及其制备方法。该人工突触的结构包括：衬底上部分分布有电子传输层，电子传输层上依次为光吸收层和空穴传输层；衬底上的非电子传输层部分和空穴传输层上的部分表面还覆盖有金属层；所述空穴传输层为噻吩类聚合物。本发明的人工突触光照时通过在右侧顶电极施加正负极性的电压刺激产生与光生电流同向和反向的电流，利用二者的叠加作用，可分别实现增强和抑制两种不同的光响应。

本发明授权一种基于PIN异质结两端人工突触及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于PIN异质结两端人工突触，其特征为所述的人工突触的结构包括：衬底上部分分布有电子传输层，电子传输层上依次为光吸收层和空穴传输层；衬底上的非电子传输层部分和空穴传输层上的部分表面还覆盖有金属层； 所述衬底为玻璃材质；所述电子传输层为二元金属氧化物；所述光吸收层为钙钛矿材料；所述空穴传输层为噻吩类聚合物；所述的金属层分为左金属电极和右金属电极，材质均为金，左电极为衬底表面电极，右电极为空穴传输层表面电极； 所述的衬底为石英玻璃硅片或氧化铟锡导电玻璃； 所述电子传输层为二元金属氧化物，包括但不限于氧化锡、氧化锌、氧化钛中的任意一种； 所述光吸收层为具有ABX3通式的钙钛矿材料，其中A包括但不限于铯、甲胺、甲脒中的任意一种；B包括但不限于铅、锡、锌、钾中的任意一种；X包括但不限于氯、溴、碘中的任意一种； 所述空穴传输层包括但不限于聚噻吩、聚3己基噻吩、聚3溴己基噻吩中的任意一种； 所述的所述的基于PIN异质结两端人工突触的制备方法，该方法包括如下步骤： 1将衬底依次经去离子水、丙酮和异丙醇超声清洗，然后用氮气将衬底表面吹干，放入紫外清洗机中处理15-20分钟； 2在空气环境中，将二氧化锡氨水溶液滴加到步骤1的衬底上，然后利用匀胶机以3000-5000转每分钟的速度旋涂20-40秒，然后将衬底放置加热板上，在130-180℃下加热20-40分钟，得到电子传输层； 其中，所述的二氧化锡氨水溶液是由15％-20％质量分数的二氧化锡水胶体分散液和氨含量10％-35％的氨水按照1比2-4的体积比混合而成；每2-4平方厘米衬底滴加80-100微升二氧化锡氨水溶液； 3在手套箱中，将MAPbI3前驱体溶液滴加到步骤2获得的电子传输层上，利用匀胶机以3000-5000转每分钟的速度旋涂50-80秒，结束后直接获得钙钛矿薄膜； 其中，所述的MAPbI3前驱体溶液是由甲基碘化铵MAI和碘化铅PbI2按照摩尔比1比1-1.5的比例加入到混合溶液中，搅拌后获得浓度为1-1.2摩尔每毫升的MAPbI3前驱体溶液；所述的混合溶液为甲胺乙醇和乙腈按照体积比为1：0.5～1混合而得；每2-4平方厘米电子传输层滴加80-100微升MAPbI3前驱体溶液； 4将P3HT前驱体溶液滴加到步骤3的钙钛矿薄膜上，利用匀胶机以2000-3000转每分钟的速度旋涂20-40秒，然后将衬底放置加热板上，在500-100℃下加热5-20分钟，得到空穴传输层； 其中，所述的P3HT前驱体溶液是由氯苯溶剂加入到聚3己基噻吩P3HT中，然后搅拌获得，浓度为5-10毫克每毫升；每2-4平方厘米钙钛矿薄膜滴加60-100微升P3HT前驱体溶液； 5去除覆盖在衬底上表面部分区域的半导体层，暴露部分衬底；然后通过热蒸发技术，在衬底表面得到左电极，空穴传输层表面得到右电极，最终获得基于PIN异质结两端人工突触； 其中，热蒸发参数为温度控制在40-50度，真空度10-3-10-4帕,沉积速率0.8-1埃秒，蒸镀时间30-40分钟。

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