环球晶圆股份有限公司林钦山获国家专利权
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龙图腾网获悉环球晶圆股份有限公司申请的专利碳化硅材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990752B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110852661.7，技术领域涉及：H01L21/324；该发明授权碳化硅材料的制备方法是由林钦山设计研发完成，并于2021-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅材料的制备方法，所述方法包括以下步骤。对于晶片或是晶体执行第一退火工艺。所述第一退火工艺的条件包括：使用10℃分至30℃分的升温速率，于2000℃以下的退火温度及大于2分钟且小于4小时的恒温退火时间执行所述第一退火工艺。在执行所述第一退火工艺之后，所述晶片或所述晶体的平均电阻率大于1010Ω·cm。
本发明授权碳化硅材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅材料的制备方法，其特征在于，包括： 对于晶片或晶体执行第一退火工艺，其中所述第一退火工艺的条件包括： 使用10℃分至30℃分的升温速率，于1950℃至2000℃的退火温度及大于2分钟且小于4小时的恒温退火时间执行所述第一退火工艺， 其中在执行所述第一退火工艺之后，所述晶片或所述晶体的平均电阻率大于1010Ω·cm。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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