长鑫存储技术有限公司池性洙获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利字线驱动器、字线驱动器阵列及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115623775B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110790430.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权字线驱动器、字线驱动器阵列及半导体结构是由池性洙;张凤琴;金书延设计研发完成，并于2021-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本字线驱动器、字线驱动器阵列及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种字线驱动器、字线驱动器阵列及半导体结构，字线驱动器包括：第零PMOS管、第零NMOS管和第一NMOS管，所述第零PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，栅极用于接收第一控制信号，源极用于接收第二控制信号，漏极与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第零NMOS管的栅极用于接收第二控制互补信号，所述第零NMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极用于与字线连接；其中，所述字线具有第一延伸方向，所述第零PMOS管、所述第零NMOS管和所述第一NMOS管在所述第一延伸方向上并排设置。本发明实施例有利于提升字线驱动器的电学性能。
本发明授权字线驱动器、字线驱动器阵列及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种字线驱动器，其特征在于，包括： 第零PMOS管、第零NMOS管和第一NMOS管，所述第零PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，栅极用于接收第一控制信号，源极用于接收第二控制信号，漏极与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第零NMOS管的栅极用于接收第二控制互补信号，所述第零NMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极用于与字线连接； 其中，所述字线具有第一延伸方向，所述第零PMOS管、所述第零NMOS管和所述第一NMOS管在所述第一延伸方向上并排设置； 所述第零PMOS管的沟道和所述第一NMOS管的沟道具有第二延伸方向，所述第二延伸方向垂直于所述第一延伸方向。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号