深圳镓芯半导体科技有限公司陈正培获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳镓芯半导体科技有限公司申请的专利化合物半导体电容器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113690369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110776042.4，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权化合物半导体电容器件是由陈正培;徐文凯设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本化合物半导体电容器件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造的技术领域，公开了一种化合物半导体电容器件,所述化合物半导体电容器件包括上极板、下极板和介质层，所述介质层设置于所述上极板和所述下极板之间，所述下极板包括衬底和多个预置外延层，所述预置外延层通过外延淀积工艺设置于所述衬底上；所述介质层设置于所述预置外延层上，所述上极板设置于所述介质层上。由于外延淀积工艺的浓度和阻值稳定，电化学特性不易受影响，因此形成的化合物半导体电容器件的稳定性更好，并且本化合物半导体电容器件无需特定离子的植入，无需额外复晶淀积与复晶腐蚀，使得本化合物半导体电容器件的制造工艺步骤更为简单，降低了制造工艺成本。
本发明授权化合物半导体电容器件在权利要求书中公布了：1.一种化合物半导体电容器件，所述化合物半导体电容器件包括上极板、下极板和介质层，所述介质层设置于所述上极板和所述下极板之间，其特征在于，所述下极板包括： 衬底； 多个预置外延层，通过外延淀积工艺设置于所述衬底上； 多个所述预置外延层分别为缓冲层、集电极层、基电极层、二维电子气层和射电极层；所述缓冲层设置于所述衬底上，所述集电极层设置于所述缓冲层上，所述基电极层设置于所述集电极层上，所述二维电子气层设置于所述基电极层上，所述射电极层设置于所述二维电子气层上； 所述缓冲层包括AlGaN，所述集电极层包括GaN，所述基电极层包括GaN，所述二维电子气层包括AlGaN，所述射电极层包括GaN和或InGaN； 所述介质层设置于所述预置外延层上，所述上极板设置于所述介质层上。
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