南茂科技股份有限公司沈弘哲获国家专利权
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龙图腾网获悉南茂科技股份有限公司申请的专利薄膜覆晶封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249681B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110667331.0，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权薄膜覆晶封装结构是由沈弘哲设计研发完成，并于2021-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜覆晶封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种薄膜覆晶封装结构，包括可挠性基板、第一线路层、第二线路层以及芯片。可挠性基板具有相对的第一表面与第二表面以及位于第一表面的芯片覆盖区，其中芯片覆盖区沿长边方向划分成第一侧边区、中央区及第二侧边区。可挠性基板包括分别对应第一侧边区、中央区及第二侧边区的第一区、第二区与第三区。第一线路层与第二线路层分别位于第一表面与第二表面上。芯片配置于芯片覆盖区并接合第一线路层。第二线路层的线路铺设面积与第一线路层的线路铺设面积的比值在第一区内与第三区内是介于0.9至1.2之间。
本发明授权薄膜覆晶封装结构在权利要求书中公布了：1.一种薄膜覆晶封装结构，其特征在于，包括： 可挠性基板，具有相对的第一表面与第二表面以及位于所述第一表面的芯片覆盖区，所述芯片覆盖区沿长边方向划分成第一侧边区、中央区及第二侧边区，所述可挠性基板包括第一区、第二区与第三区，所述芯片覆盖区外扩一距离而构成所述第一区、所述第二区与所述第三区的边缘，且所述第一区、所述第二区及所述第三区分别对应所述第一侧边区、所述中央区及所述第二侧边区，其中所述第一侧边区在所述长边方向上的长度与所述第二侧边区在所述长边方向上的长度分别为所述芯片覆盖区的长边长度的14至16，所述距离为所述芯片覆盖区的长边长度的18至112； 第一线路层，位于所述第一表面上； 第二线路层，位于所述第二表面上；以及 芯片，配置于所述芯片覆盖区并接合所述第一线路层，其中 所述第二线路层的线路铺设面积与所述第一线路层的线路铺设面积的比值在所述第一区内与所述第三区内是介于0.9至1.2之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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