三星电子株式会社;仁川大学教产学协力团赵恩亨获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社;仁川大学教产学协力团申请的专利用于填充间隙的方法和设备以及通过该方法实现的器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113818009B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110653245.4，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权用于填充间隙的方法和设备以及通过该方法实现的器件是由赵恩亨;H.李;李成熙;李政烨;C.T.阮设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于填充间隙的方法和设备以及通过该方法实现的器件在说明书摘要公布了：提供了通过使用原子层沉积ALD方法来填充间隙的方法和设备以及通过该方法实现的器件。该方法包括通过将反应抑制剂吸附到间隙的侧壁上而形成第一反应抑制层、通过将第一反应物吸附到间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上而形成第一前体层、以及在间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上形成第一原子层。反应抑制剂包括不与第二反应物反应的前体材料。第一反应抑制层可以具有其中反应抑制剂的密度朝向间隙的底部减小的密度梯度。形成第一原子层包括将第二反应物吸附到第一前体层上。
本发明授权用于填充间隙的方法和设备以及通过该方法实现的器件在权利要求书中公布了：1.一种使用原子层沉积ALD填充形成在基板上的间隙的方法，所述方法包括： 通过将反应抑制剂吸附到所述间隙的侧壁上而形成第一反应抑制层，所述反应抑制剂包括不与第二反应物反应的前体材料，所述第一反应抑制层具有其中所述反应抑制剂的密度朝向所述间隙的底部减小的密度梯度； 通过将第一反应物吸附到所述间隙的所述底部和所述间隙的在所述间隙的所述底部周围的侧壁上而形成第一前体层；以及 在所述间隙的所述底部和所述间隙的在所述间隙的所述底部周围的所述侧壁上形成第一原子层，形成所述第一原子层包括将所述第二反应物吸附到所述第一前体层上， 其中所述反应抑制剂包括中心金属和环戊二烯基Cp配体、所述中心金属和五甲基环戊二烯基Cp*配体、HftBuO4、HfOiPr4或HfOtBuNEtMe3。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社;仁川大学教产学协力团，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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