中国科学院宁波材料技术与工程研究所戴贻钧获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472500B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110655788.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种HEMT器件及其制备方法是由戴贻钧;郭炜;叶继春设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种HEMT器件及其制备方法，该方法包括：获得具有横向极性结构层的衬底，其中，横向极性结构层包括在远离衬底方向上依次层叠的图形化结晶层、缓冲层、沟道层、势垒层；采用湿法刻蚀方式刻蚀未与图形化结晶层对应的沟道层和势垒层，形成三维沟道结构；制备源电极、漏电极，并在三维沟道结构的上表面制备栅电极，得到HEMT器件。本申请在衬底上形成有图形化结晶层、缓冲层、沟道层、势垒层，与图形化结晶层对应的缓冲层、沟道层、势垒层为金属极性膜层，未与图形化结晶层对应的为氮极性膜层，采用湿法刻蚀方式刻蚀氮极性膜层中的沟道层和势垒层，湿法刻蚀界面平整光滑，避免等离子体刻蚀带来的离子损伤问题，并能缩短工艺时间。
本发明授权一种HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种HEMT器件制备方法，其特征在于，包括： 获得具有横向极性结构层的衬底，其中，所述横向极性结构层包括在远离所述衬底方向上依次层叠的图形化结晶层、缓冲层、沟道层、势垒层； 采用湿法刻蚀方式刻蚀未与所述图形化结晶层对应的所述沟道层和所述势垒层，形成三维沟道结构； 制备源电极、漏电极，并在所述三维沟道结构的上表面制备栅电极，得到HEMT器件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院宁波材料技术与工程研究所，其通讯地址为：315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号