澜起科技股份有限公司张雄获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉澜起科技股份有限公司申请的专利片上帕尔贴制冷器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458670B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110642608.4，技术领域涉及：H10N10/17；该发明授权片上帕尔贴制冷器件及其制作方法是由张雄设计研发完成，并于2021-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本片上帕尔贴制冷器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种片上帕尔贴制冷器件及其制作方法，该器件包括：位于半导体衬底中的第一类型阱区，位于半导体衬底表面上的多晶硅栅极和伪栅，位于第一类型阱区中的第一类型掺杂区，位于第一类型阱区中的第二类型掺杂区，位于第一段上方的第一通孔和位于第二段上方的第二通孔。伪栅形成为具有间隔的两段结构，两段结构中远离间隔的部分区域与半导体衬底之间不具有栅绝缘层。第一类型掺杂区至少与伪栅的第一段在半导体衬底上的正投影区重叠。第二类型掺杂区至少与多晶硅栅极和伪栅的第二段在半导体衬底上的正投影区重叠。本申请实施方式中，热流方向是从器件内部向表面的方向流动，从而实现散热制冷。
本发明授权片上帕尔贴制冷器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种片上帕尔贴制冷器件，其特征在于，包括： 位于半导体衬底中的第一类型阱区； 位于所述半导体衬底表面上的多晶硅栅极和伪栅，所述伪栅形成为具有间隔的两段结构，其中，所述两段结构中远离间隔的部分区域与所述半导体衬底之间不具有栅绝缘层； 位于所述第一类型阱区中的第一类型掺杂区，所述第一类型掺杂区至少与所述伪栅的第一段在所述半导体衬底上的正投影区重叠； 位于所述第一类型阱区中的第二类型掺杂区，所述第二类型掺杂区至少与所述多晶硅栅极和所述伪栅的第二段在所述半导体衬底上的正投影区重叠； 位于所述第一段上方的第一通孔和位于所述第二段上方的第二通孔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人澜起科技股份有限公司，其通讯地址为：200233 上海市徐汇区宜山路900号1幢A6；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号