深圳市安思疆科技有限公司陈驰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市安思疆科技有限公司申请的专利三维成像模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113408513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110637411.1，技术领域涉及：G06V40/16；该发明授权三维成像模组是由陈驰;李安;张莉萍设计研发完成，并于2021-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维成像模组在说明书摘要公布了：本申请提供一种三维成像模组，包括：投射模组，包括光源和扩散片；光源用于发射带偏振方向的结构光；扩散片设于光源的出光侧，并能够切换为透明状态和或供结构光散射成均匀红外光的散射状态；接收模组，包括红外芯片和第一偏振片；红外芯片与光源间隔分布；第一偏振片设于红外芯片的入光侧，且第一偏振片的偏振方向与光源发射的结构光的偏振方向一致。通过采用上述技术方案，节省了投射模组的制作成本，同时也减小了投射模组的体积。并且，第一偏振片过滤掉大部分环境光，以降低环境光对红外芯片的影响，保证红外芯片能够准确地识别目标物体，从而提高三维成像模组的成像效果。
本发明授权三维成像模组在权利要求书中公布了：1.一种三维成像模组，其特征在于，包括： 投射模组，包括光源和扩散片；所述光源用于发射带偏振方向的结构光；所述扩散片设于所述光源的出光侧，并能够切换为透明状态和或供结构光散射成均匀红外光的散射状态； 接收模组，包括红外芯片和第一偏振片；所述红外芯片与所述光源间隔分布；所述第一偏振片设于所述红外芯片的入光侧，且所述第一偏振片的偏振方向与所述光源发射的结构光的偏振方向一致； 所述扩散片具有多个扩散区域，各所述扩散区域均能够切换为透明状态或散射状态；各所述扩散区域上均设有电极，所述电极用于外接电压；所述投射模组可同时投射出相互独立的结构光和均匀红外光，以使所述红外芯片获取的红外图上具有多个相互独立的成像区域，其中一部分所述成像区域为带结构特征的红外图，另一部分所述成像区域为均匀红外图。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市安思疆科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区西丽街道松坪山社区朗山路13号南门西侧清华信息港科研楼1层109-10室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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