联华电子股份有限公司许惠欣获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体装置以及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394850B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110570332.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置以及其制作方法是由许惠欣;马焕淇;游建文;周仕旻;何念葶;陈俤彬设计研发完成，并于2021-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括基底与栅极结构。栅极结构设置在基底上，且栅极结构包括氮化钛阻障层与钛铝层。钛铝层设置在氮化钛阻障层上，且钛铝层的厚度介于氮化钛阻障层的厚度的两倍至氮化钛阻障层的厚度的三倍之间。
本发明授权半导体装置以及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 基底；以及 栅极结构，设置在该基底上，其中该栅极结构包括： 氮化钛阻障层；以及 钛铝titaniumaluminide层，设置在该氮化钛阻障层上，其中该钛铝层的厚度介于该氮化钛阻障层的厚度的两倍至该氮化钛阻障层的该厚度的三倍之间， 中间层，设置在该钛铝层与该氮化钛阻障层之间，其中该中间层直接连接该钛铝层与该氮化钛阻障层，且该中间层包括钛与氮， 其中该中间层的氮浓度在朝向该中间层与该钛铝层之间的交界面延伸的垂直方向上逐渐降低， 其中形成该栅极结构的方法包括： 在该氮化钛阻障层上形成钛层 在该钛层上形成铝层；以及 在形成该铝层之后进行回流reflow制作工艺，其中该钛层以及该铝层的一部分在该回流制作工艺之后被转变成该钛铝层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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