铠侠股份有限公司中木宽获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203709B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110556696.6，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权半导体存储装置及其制造方法是由中木宽设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置及其制造方法在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体存储装置及其制造方法。根据实施方式，半导体存储装置包含：多个第1配线层WL，沿第1方向Z方向积层；第1存储器柱MP，包含在多个第1配线层的内部沿第1方向延伸的第1半导体层29；第2配线层39，配置在第1半导体层的上方；第2半导体层33，包含配置在第1半导体层与第2配线层之间的第1部分33a、向第1半导体层的上方延伸的第2部分33b、及设置在第2部分上的第3部分33c；第1绝缘层37，配置在第1部分与第2配线层之间及第2部分与第2配线层之间；及第2绝缘层40，设置在第1绝缘层上，且与第2部分的一部分相接。
本发明授权半导体存储装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 多个第1配线层，沿第1方向积层； 第1存储器柱，包含在所述多个第1配线层的内部沿所述第1方向延伸的第1半导体层； 第2配线层，配置在所述第1半导体层的上方； 第2半导体层，包含配置在所述第1半导体层与所述第2配线层之间的第1部分、向所述第1半导体层的上方延伸的第2部分及设置在所述第2部分上的第3部分； 第1绝缘层，配置在所述第1部分与所述第2配线层之间及所述第2部分与所述第2配线层之间；及 第2绝缘层，设置在所述第1绝缘层上，且与所述第2部分的一部分相接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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