索泰克公司I·伯特兰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉索泰克公司申请的专利制造用于射频应用的绝缘体上半导体衬底的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115552592B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180034312.2，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权制造用于射频应用的绝缘体上半导体衬底的方法是由I·伯特兰;W·施瓦岑贝格;F·阿利伯特设计研发完成，并于2021-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造用于射频应用的绝缘体上半导体衬底的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种制造用于射频应用的绝缘体上半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：‑通过在p掺杂的半导体晶种衬底100上外延生长未掺杂的半导体层101来形成供体衬底1；‑在未掺杂的外延半导体层101上形成电绝缘层10；‑通过电绝缘层10注入离子粒种，以在未掺杂的外延半导体层101中形成限定了待转移的半导体薄层12的弱化区11；‑提供电阻率大于或等于500Ω.cm的半导体载体衬底2；‑经由电绝缘层10将供体衬底1结合到载体衬底2；‑沿着弱化区11分离供体衬底1，以将半导体薄层12从供体衬底1转移到载体衬底2。
本发明授权制造用于射频应用的绝缘体上半导体衬底的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造用于射频应用的绝缘体上半导体衬底的方法，所述方法包括以下步骤： -通过在p掺杂的半导体晶种衬底100上外延生长未掺杂的半导体层101来形成供体衬底1； -在未掺杂的外延半导体层101上形成电绝缘层10； -通过所述电绝缘层10注入离子粒种，以在所述未掺杂的外延半导体层101中形成限定了待转移的半导体薄层12的弱化区11； -提供电阻率大于或等于500Ω.cm的半导体载体衬底2； -经由所述电绝缘层10将所述供体衬底1结合到所述载体衬底2； -沿着所述弱化区11分离所述供体衬底1，以将所述半导体薄层12从所述供体衬底1转移到所述载体衬底2，其中，在所制造的绝缘体上半导体衬底中，通过所述半导体薄层12和所述电绝缘层10避免了掺杂剂从所述供体衬底1扩散到所述载体衬底2中，使得所述载体衬底2的所述电阻率不受影响。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索泰克公司，其通讯地址为：法国伯尔宁；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号