联华电子股份有限公司李国兴获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利单次可编程存储器元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249711B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110453777.3，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权单次可编程存储器元件是由李国兴;林俊贤;薛胜元设计研发完成，并于2021-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本单次可编程存储器元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种单次可编程存储器元件，该半导体元件主要包含输入输出区、单次可编程电容区以及核心区定义于基底上，一第一金属栅极设于输入输出区且第一金属栅极包含第一高介电常数介电层，一第二金属栅极设于单次可编程电容区以及一第三金属栅极设于核心区，其中第三金属栅极包含第三高介电常数介电层与该第一高介电常数介电层且该第三高介电常数介电层包含I形。
本发明授权单次可编程存储器元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包含： 基底，包含输入输出区、核心区以及单次可编程电容区； 第一金属栅极，设于该输入输出区，其中该第一金属栅极包含第一高介电常数介电层； 第二金属栅极，设于该核心区，其中该第二金属栅极包含第二高介电常数介电层且该第一高介电常数介电层与该第二高介电常数介电层包含I形； 第三金属栅极，设于该单次可编程电容区，其中该第三金属栅极包含第三高介电常数介电层；以及 第四金属栅极，设于该单次可编程电容区且位于该第三金属栅极的一侧，其中该第四金属栅极的一部分位于该基底中的浅沟隔离上，且另一部分位于该基底中的掺杂区上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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