旺宏电子股份有限公司赖二琨获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206986B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110445497.8，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体结构是由赖二琨设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构。其中，该半导体结构包括通道元件。通道元件包括衬底部分以及垂直通道部分。垂直通道部分邻接在衬底部分上。衬底部分与垂直通道部分皆包括单晶硅。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其中，包括： 一通道元件，包括一衬底部分以及一垂直通道部分，其中该垂直通道部分邻接在该衬底部分上，该衬底部分与该垂直通道部分皆包括单晶硅，该衬底部分包括一上衬底表面，该垂直通道部分包括一通道侧壁表面，一第一栅电极层，在该上衬底表面与该通道侧壁表面上；一第一介电层，邻接在该第一栅电极层的侧壁表面与该垂直通道部分的该通道侧壁表面之间；一第二栅电极层，在该通道侧壁表面上，并在该上衬底表面与该第一栅电极层之间，一第二介电层，连续延伸于第二栅电极层的下表面与侧壁表面之间，该第二介电层与该第一介电层具有不同的材料组，且该第二介电层的上表面与该第一介电层连接； 以及一绝缘层，在该第一栅电极层与该第二栅电极层之间，该第二介电层具有一外侧壁表面与相对于该外侧壁表面的一内侧壁表面，该第二介电层的该外侧壁表面直接接触该绝缘层,该第二介电层的该内侧壁表面直接接触该垂直通道部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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