中芯南方集成电路制造有限公司江涛获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯南方集成电路制造有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224025B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110418350.X，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由江涛设计研发完成，并于2021-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底上具有鳍部，鳍部沿第一方向延伸，鳍部包括多个第一区和至少一个第二区，第二区位于相邻的所述第一区之间，第一区与第二区沿第一方向排布；在衬底上形成第一隔离层，第一隔离层覆盖鳍部部分侧壁，第一隔离层表面低于鳍部顶部表面；在各第一区上分别形成横跨鳍部的第一栅极结构、以及位于第一栅极结构两侧鳍部中的源漏掺杂区，第一栅极结构覆盖鳍部部分侧壁与顶部表面；在第二区内形成隔离沟槽，隔离沟槽层沿第二方向贯穿所述鳍部，第二方向与第一方向相垂直；对隔离沟槽的表面进行表面处理；进行表面处理后，在隔离沟槽内形成第二隔离层；能够有效的提升最终形成的半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构形成的方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上具有鳍部，所述鳍部沿第一方向延伸，所述鳍部包括多个第一区和至少一个第二区，所述第二区位于相邻的两个所述第一区之间，所述第一区与所述第二区沿所述第一方向排布； 在所述衬底上形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述鳍部部分侧壁，所述第一隔离层表面低于所述鳍部顶部表面； 在各所述第一区上分别形成横跨所述鳍部的第一栅极结构、以及位于所述第一栅极结构两侧鳍部中的源漏掺杂区，所述第一栅极结构覆盖所述鳍部部分侧壁与顶部表面； 在所述第二区内形成隔离沟槽，所述隔离沟槽层沿第二方向贯穿所述鳍部，所述第二方向与所述第一方向相垂直； 对所述隔离沟槽的表面进行表面处理，所述表面处理的方式为表面溶液处理与表面离子注入处理的结合，利用所述表面离子注入处理在所述隔离沟槽的表面形成PN结； 进行表面处理后，在所述隔离沟槽内形成第二隔离层。
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