中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王兰芳获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利图形设计方法及系统、掩膜版组合、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115145111B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110339421.7，技术领域涉及：G03F1/70；该发明授权图形设计方法及系统、掩膜版组合、设备及存储介质是由王兰芳;杜杳隽;李亮;刘娜设计研发完成，并于2021-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本图形设计方法及系统、掩膜版组合、设备及存储介质在说明书摘要公布了：一种图形设计方法及系统、掩膜版组合、设备及存储介质，图形设计方法包括：提供初始图形，包括多个主图形；定义相邻主图形之间的距离为间距；设置预设问题间距，包括违例间距和弱点间距，违例间距小于光刻分辨率极限，且弱点间距大于光刻分辨率极限；基于预设问题间距，配置预设问题图形，包括：由一对具有违例间距的相邻主图形组成的违例图形对，以及由位于中心位置的中心主图形、和与中心主图形之间具有弱点间距的至少两个边缘主图形组成的弱点图形组合；对初始图形进行拆分，且对违例图形对的拆分优先级高于对弱点图形组合的拆分优先级，获得多个子图形层。本发明实施例有利于增大子图形层的光刻工艺窗口，提高光刻工艺的成像质量。
本发明授权图形设计方法及系统、掩膜版组合、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种图形设计方法，其特征在于，包括： 提供初始图形，包括多个主图形；定义相邻主图形之间的距离为间距； 设置预设问题间距，包括违例间距和弱点间距，所述违例间距小于光刻分辨率极限，且所述弱点间距大于光刻分辨率极限，所述光刻分辨率极限表示在进行光刻工艺时，曝光过程中能分辨出的最小的图形之间的间距； 基于所述预设问题间距，配置预设问题图形，包括：由一对具有所述违例间距的相邻主图形组成的违例图形对，以及由位于中心位置的中心主图形、和与所述中心主图形之间具有所述弱点间距的至少两个边缘主图形组成的弱点图形组合； 对所述初始图形进行拆分，且对所述违例图形对的拆分优先级高于对所述弱点图形组合的拆分优先级，获得多个子图形层。
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