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龙图腾网获悉琳得科株式会社申请的专利半导体装置制造用片及其制造方法、以及带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114762085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006720.7，技术领域涉及：H01L21/301；该发明授权半导体装置制造用片及其制造方法、以及带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法是由岩屋涉;佐藤阳辅设计研发完成，并于2021-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置制造用片及其制造方法、以及带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述基材上依次层叠有所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂，所述中间层含有重均分子量为20000～100000的非硅类树脂β1作为主要成分，所述膜状粘合剂含有液状的成分α2、或所述粘着剂层含有液状的成分γ2，在将由所述非硅类树脂β1构成的厚度为10μm的第一试验片的雾度设为Hβ、将由所述非硅类树脂β1与所述成分α2的混合物构成的厚度为10μm的第二试验片的雾度设为Hβα、将由所述非硅类树脂β1与所述成分γ2的混合物构成的厚度为10μm的第三试验片的雾度设为Hβγ时，满足Hβα‑Hβ＞7％或Hβγ‑Hβ＞7％。

本发明授权半导体装置制造用片及其制造方法、以及带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置制造用片，其具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂， 所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层及所述膜状粘合剂而构成， 所述中间层含有重均分子量为20000～100000的非硅类树脂β1作为主要成分， 进一步，至少所述膜状粘合剂含有成分α2或至少所述粘着剂层含有成分γ2， 所述成分α2在23℃的温度下为液状，且不具有与所述膜状粘合剂所含有的主要成分进行反应的官能团， 所述成分α2为热固性成分、固化促进剂、偶联剂、交联剂、光聚合引发剂或通用添加剂， 所述成分γ2在23℃的温度下为液状，且不具有与所述粘着剂层所含有的主要成分进行反应的官能团， 所述成分γ2为能量射线固化性化合物、交联剂、光聚合引发剂、抗静电剂、抗氧化剂、软化剂、填充材料、防锈剂、颜料、染料、敏化剂、增粘剂、反应延迟剂或交联促进剂， 所述主要成分是指在含有该成分的层或膜中，含量最大且重均分子量为20000以上的成分， 将由所述非硅类树脂β1构成的厚度为10μm的膜状的第一试验片的雾度设为Hβ， 在所述膜状粘合剂含有所述成分α2的情况下，将由100质量份的所述非硅类树脂β1与10质量份的所述成分α2的混合物构成的厚度为10μm的膜状的第二试验片的雾度设为Hβα，此时，所述Hβα及Hβ满足下述式X1： X1Hβα-Hβ＞7％， 在所述粘着剂层含有所述成分γ2的情况下，将由100质量份的所述非硅类树脂β1与10质量份的所述成分γ2的混合物构成的厚度为10μm的膜状的第三试验片的雾度设为Hβγ，此时，所述Hβγ及Hβ满足下述式X2： X2Hβγ-Hβ＞7％。

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