买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132842B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110328178.9，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由苏博;何超;亚伯拉罕·庾设计研发完成，并于2021-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，衬底上具有若干平行排列的鳍部结构；位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧鳍部结构内的源漏掺杂区以及第二绝缘层，源漏掺杂区内具有第一离子，栅极结构横跨鳍部结构且位于第二绝缘层内；位于第二绝缘层内的金属层，金属层延伸方向与鳍部结构排列方向相同，金属层位于源漏掺杂区上；位于第二绝缘层内和鳍部结构内的第一隔离结构，第一隔离结构延伸方向与鳍部结构排列方向相同，第一隔离结构位于相邻金属层之间。位于第二绝缘层内的第二隔离结构，第二隔离结构延伸方向与鳍部结构排列方向相同，第二隔离结构位于第一隔离结构上，且与第二隔离结构位于相邻的金属层之间。所述结构性能得到提升。

本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上具有若干平行排列的鳍部结构和第一绝缘层，所述第一绝缘层位于鳍部结构侧壁且第一绝缘层的顶部平面低于所述鳍部结构顶部表面； 位于衬底上的栅极结构以及位于栅极结构两侧鳍部结构内的源漏掺杂区，所述源漏掺杂区内具有第一离子，所述栅极结构横跨所述鳍部结构； 位于衬底上的第二绝缘层，所述栅极结构位于所述第二绝缘层内，且所述第二绝缘层顶部平面高于所述栅极结构顶部平面； 位于第二绝缘层内的金属层，所述金属层的延伸方向与所述鳍部结构的排列方向相同，所述金属层位于源漏掺杂区上并且与源漏掺杂区电连接； 位于第二绝缘层内和鳍部结构内的第一隔离结构，所述第一隔离结构的延伸方向与所述鳍部结构的排列方向相同，所述第一隔离结构位于相邻的金属层之间； 位于衬底内的第二隔离结构，所述第二隔离结构内具有第二离子，所述第二离子的导电类型与第一离子的导电类型相反，所述第二隔离结构的延伸方向与所述鳍部结构的排列方向相同，所述第一隔离结构位于第二隔离结构上，所述第一隔离结构和第二隔离结构位于相邻的金属层之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。