晶呈科技股份有限公司刘埃森获国家专利权
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龙图腾网获悉晶呈科技股份有限公司申请的专利发光二极管封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110275612.1，技术领域涉及：H01L25/075；该发明授权发光二极管封装结构及其制作方法是由刘埃森;冯祥铵;钟承育;涂家玮;陈亚理设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种发光二极管封装结构及其制作方法，首先，提供一半导体晶圆，半导体晶圆具有复数个半导体基板。接着，贯穿每一半导体基板，以形成第一通孔与第二通孔。先形成一绝缘层于每一半导体基板的表面及第一通孔与第二通孔的内壁，再形成图案化电极层于半导体基板的表面。形成覆盖绝缘层的导电结构于第一通孔与第二通孔中，并电性连接导电结构与图案化电极层。形成发光二极管于每一半导体基板的第二通孔中，并分别电性连接所有发光二极管与第二通孔中的导电结构。最后，分离所有半导体基板，以提升合格率与简化结构。
本发明授权发光二极管封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括： 一半导体基板，具有贯穿自身的一个第一通孔与三个第二通孔，每一所述第二通孔包括互相连通的一第一子通孔与一第二子通孔，其中所述第一子通孔与所述第二子通孔分别靠近所述半导体基板的顶面与底面，所述第一子通孔的截面积大于所述第二子通孔的截面积； 一绝缘层，设于所述半导体基板的表面及所述第一通孔、所述第一子通孔与所述第二子通孔的内壁，所述第一通孔与所述第二子通孔填满有覆盖所述绝缘层的导电结构； 一第一图案化电极层，设于所述半导体基板的所述顶面，并电性连接所述导电结构； 一第二图案化电极层，设于所述半导体基板的所述底面，并电性连接所述第一通孔与所述第二子通孔中的所述导电结构；以及 三个发光二极管，分别设于所述三个第二通孔的所述第一子通孔中，并分别电性连接所述第二子通孔中的所述导电结构。
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