京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司朱磊获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司申请的专利一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113054035B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110268983.7，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置是由朱磊;李志勇;杨润洲;胡伟;税守坚;薛锐;周宇;王春雷设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置在说明书摘要公布了：一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置，所述薄膜晶体管包括设置在基底上的有源层、栅电极、源电极、漏电极、载流子注入极，所述有源层包括源极区、漏极区、沟道区和载流子注入区，所述源电极电连接到所述源极区，所述漏电极电连接到所述漏极区，所述载流子注入极电连接到所述载流子注入区，所述载流子注入区与所述源极区、漏极区为不同极性。本公开实施例提供的薄膜晶体管，通过载流子注入区在沟道注入载流子，抑制器件退化，提高器件使用寿命。
本发明授权一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括设置在基底上的有源层、栅电极、源电极、漏电极和载流子注入极，所述有源层包括源极区、漏极区、沟道区和载流子注入区，所述源电极电连接到所述源极区，所述漏电极电连接到所述漏极区，所述载流子注入极电连接到所述载流子注入区，所述载流子注入区与所述源极区、漏极区为不同极性，且所述沟道区与所述载流子注入区之间形成P+N结； 所述沟道区靠近所述栅电极一侧为第一侧，所述第一侧即上侧，所述源极区设置在所述沟道区的第二侧，所述第二侧即左侧，所述漏极区设置在所述沟道区的第三侧，所述第三侧即右侧，所述载流子注入区设置在所述沟道区除所述第一侧、第二侧、第三侧之外的前侧和后侧中的至少一侧； 所述栅电极连接第一电源端，所述载流子注入极连接第二电源端，所述薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，第一电源端的电压处于下降沿时段时，所述第二电源端的电压为接地电压或者正电压，在栅电极电压处于下降沿时，P型的载流子注入极与本征导电沟道区形成的P+N结正偏。
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