大连芯冠科技有限公司刘晨阳获国家专利权
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龙图腾网获悉大连芯冠科技有限公司申请的专利一种提高GaN HEMT垂直方向抗击穿能力的封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113161417B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110272449.3，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种提高GaN HEMT垂直方向抗击穿能力的封装结构是由刘晨阳;王荣华;任永硕;梁辉南设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高GaN HEMT垂直方向抗击穿能力的封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种提高GaNHEMT垂直方向抗击穿能力的封装结构，包括：GaNHEMT，所述GaNHEMT的源极、漏极和栅极三电极均位于第一表面，与所述第一表面相对的第二表面设置衬底；双面覆金属陶瓷基板，所述双面覆金属陶瓷基板的上表面金属层通过焊料与GaNHEMT的衬底相连；还包括：第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端与GaNHEMT的漏极相连、另一端与所述双面覆金属陶瓷基板的上表面金属层相连，第二电阻的一端与所述双面覆金属陶瓷基板的上表面金属层相连，另一端与GaNHEMT源极相连。本发明主要利用电阻实现衬底电压的调节，实现GaNHEMT漏极与衬底压差、源极与衬底压差的优化电压分配，进而提高GaNHEMT垂直方向上的抗击穿能力。
本发明授权一种提高GaN HEMT垂直方向抗击穿能力的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种提高GaNHEMT垂直方向抗击穿能力的封装结构，包括： GaNHEMT，所述GaNHEMT的源极、漏极和栅极三电极均位于第一表面，与所述第一表面相对的第二表面设置衬底； 双面覆金属陶瓷基板，所述双面覆金属陶瓷基板的上表面金属层通过焊料与GaNHEMT的衬底相连； 其特征在于，还包括： 第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端与GaNHEMT的漏极相连、另一端与所述双面覆金属陶瓷基板的上表面金属层相连，第二电阻的一端与所述双面覆金属陶瓷基板的上表面金属层相连，另一端与GaNHEMT源极相连。
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