铠侠股份有限公司本间庄一获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110212254.X，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由本间庄一设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置的制造方法，在具有第一面及与所述第一面相反侧的第二面的半导体芯片的所述第一面侧形成金属凸块，在设置于配线基板的焊盘之上配置所述金属凸块，从所述半导体芯片的所述第二面侧照射使所述金属凸块熔融的第一光，之后停止或者减弱所述第一光的照射，使已熔融的所述金属凸块达到凝固点以下，一边将所述半导体芯片向所述配线基板的方向加压，一边从所述半导体芯片的所述第二面侧照射使所述金属凸块熔融的第二光，之后停止或者减弱所述第二光的照射，使已熔融的所述金属凸块达到凝固点以下。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其中， 在具有第一面及与所述第一面相反侧的第二面的半导体芯片的所述第一面侧形成金属凸块， 在设置于配线基板的焊盘之上配置所述金属凸块， 不将所述半导体芯片按压于所述配线基板，从所述半导体芯片的所述第二面侧照射使所述金属凸块熔融的第一光， 之后停止或者减弱所述第一光的照射，使已熔融的所述金属凸块达到凝固点以下， 一边将所述半导体芯片向所述配线基板的方向加压，一边从所述半导体芯片的所述第二面侧照射使所述金属凸块熔融的第二光， 之后停止或者减弱所述第二光的照射，使已熔融的所述金属凸块达到凝固点以下。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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