三星电子株式会社拉德瓦努尔·哈桑·斯迪克获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利被构造为增强UV灭菌的表面涂层以及制造表面涂层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113442541B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110193736.5，技术领域涉及：B32B33/00；该发明授权被构造为增强UV灭菌的表面涂层以及制造表面涂层的方法是由拉德瓦努尔·哈桑·斯迪克;王一兵设计研发完成，并于2021-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本被构造为增强UV灭菌的表面涂层以及制造表面涂层的方法在说明书摘要公布了：公开了一种增强UV灭菌的表面涂层以及制造表面涂层的方法，所述表面涂层被构造为使入射在表面涂层上的紫外光的紫外光密度局部增强。表面涂层包括介电层、位于介电层上的导电层、位于介电层和导电层中的一系列纳米开口、位于所述一系列纳米开口中的一系列纳米天线以及位于所述一系列纳米天线与导电层之间的介电间隙。导电层和纳米天线都包括UV等离子体材料。
本发明授权被构造为增强UV灭菌的表面涂层以及制造表面涂层的方法在权利要求书中公布了：1.一种表面涂层，所述表面涂层被构造为使入射在表面涂层上的紫外光的紫外光密度局部增强，所述表面涂层包括： 介电层； 导电层，位于介电层上； 多个纳米开口，位于介电层和导电层中； 多条纳米天线，位于所述多个纳米开口中；以及 多个介电间隙，位于所述多条纳米天线与导电层之间， 其中，导电层和所述多条纳米天线都包括紫外等离子体材料，并且导电层和所述多条纳米天线被构造为被跨过所述多个介电间隙施加交流源。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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