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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110187733.0，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法是由李春旭;林峰;金华俊;杨斌;黄宇;黄刚;陈淑娴;金宏峰设计研发完成，并于2021-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，包括：衬底；体区，具有第一导电类型，形成于衬底中；漂移区，具有第二导电类型，形成于衬底中，且与体区相邻；场板结构，形成于漂移区上，场板结构靠近体区的一端的下表面与衬底的上表面齐平，且具有向上延伸的倾斜面，场板结构远离体区的一端的下表面低于衬底的上表面，场板结构的厚度自靠近体区的一端向远离体区的一端逐渐增加到预设值；漏极区，具有第二导电类型，形成于漂移区的上表层，且与场板结构远离体区的一端接触。在不增加下表面低于衬底的上表面的场板结构的长度的同时，使得JEFET区域的位置形成有厚度逐渐增加的场板结构，提高了器件的可靠性。

本发明授权横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 体区，具有第一导电类型，形成于所述衬底中； 漂移区，具有第二导电类型，形成于所述衬底中，且与所述体区相邻，所述第二导电类型和所述第一导电类型相反； 场板结构，形成于所述漂移区上，所述场板结构靠近所述体区的一端的下表面与所述衬底的上表面齐平，且具有向上延伸的倾斜面，所述场板结构远离所述体区的一端的下表面低于所述衬底的上表面，所述场板结构的厚度自靠近所述体区的一端向远离所述体区的一端逐渐增加到预设值；所述倾斜面与所述场板结构靠近所述体区的一端的下表面之间的夹角不小于30度且不大于60度； 漏极区，具有第二导电类型，形成于所述漂移区的上表层，且与所述场板结构远离所述体区的一端接触； 所述场板结构包括： 第一氧化结构，为所述场板结构远离所述体区的一端，形成于所述漂移区上，且所述第一氧化结构的上表面不低于所述衬底的上表面，所述第一氧化结构自体区向漂移区的方向依次包括第一端部和第二端部，且所述第一氧化结构的厚度自所述第一端部向所述第二端部逐渐增加到所述预设值； 第二氧化结构，形成于靠近所述体区一侧的所述漂移区的上表面，且沿所述第一端部的上表面延伸至所述第一端部和所述第二端部的交界处，所述倾斜面为所述第二氧化结构靠近所述体区的上表面；所述预设值为第二端部靠近第一端部一侧的厚度。

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