三星电子株式会社尹园植获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利量子点器件、其制造方法和电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113258012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110183999.8,技术领域涉及:H10K50/115;该发明授权量子点器件、其制造方法和电子设备是由尹园植;韩文奎;金光熙;李熙在;张银珠;金泰亨;章效淑设计研发完成,并于2021-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子点器件、其制造方法和电子设备在说明书摘要公布了:公开了量子点器件、其制造方法和电子设备,所述量子点器件包括第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、设置在所述量子点层和所述第二电极之间并且包括第一无机纳米颗粒和第一有机材料的电子传输层、以及设置在所述电子传输层和所述第二电极之间并且包括第二无机纳米颗粒和第二有机材料的电子注入层,其中所述电子注入层中的所述第二有机材料的量对所述第二无机纳米颗粒和所述第二有机材料的总量的按重量计的比率小于所述电子传输层中的所述第一有机材料的量对所述第一无机纳米颗粒和所述第一有机材料的总量的按重量计的比率。
本发明授权量子点器件、其制造方法和电子设备在权利要求书中公布了:1.量子点器件,包括 第一电极和第二电极, 在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层, 在所述量子点层和所述第二电极之间的电子传输层,所述电子传输层包括第一无机纳米颗粒和第一有机材料,以及 在所述电子传输层和所述第二电极之间的电子注入层,所述电子注入层包括第二无机纳米颗粒和第二有机材料, 其中所述电子注入层中的所述第二有机材料的量对所述第二无机纳米颗粒和所述第二有机材料的总量的按重量计的比率小于所述电子传输层中的所述第一有机材料的量对所述第一无机纳米颗粒和所述第一有机材料的总量的按重量计的比率, 所述第一无机纳米颗粒为由Zn1-xQxO表示的金属氧化物纳米颗粒,其中Q为排除Zn的至少一种金属,且0≤x0.5。
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