索尼半导体解决方案公司中村诚获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利固态成像元件和成像系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114902420B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180007895.X，技术领域涉及：H04N5/00；该发明授权固态成像元件和成像系统是由中村诚;北野伸;村川祐亮;土本航也;花田拓也;野田裕贵设计研发完成，并于2021-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本固态成像元件和成像系统在说明书摘要公布了：根据本公开的固态成像元件200包含第一基板光接收芯片201和第二基板检测芯片202。第一基板光接收芯片201包含光电二极管221，光电二极管221光电转换入射光以生成光电流。第二基板检测芯片202接合至第一基板光接收芯片201，并且包含亮度变化检测电路电流‑电压转换电路310，该亮度变化检测电路基于通过转换电路电流‑电压转换电路310转换获得的电压信号来检测入射光的亮度变化，该转换电路将光电流转换成电压信号。遮光部件700设置在第一基板光接收芯片201和第二基板检测芯片202中的至少一个基板中并且遮挡光电二极管221与设置在第二基板检测芯片202中的有源元件晶体管TR之间的区域。
本发明授权固态成像元件和成像系统在权利要求书中公布了：1.一种固态成像元件，包含： 第一基板，设置有光电转换入射光以生成光电流的光电二极管；以及 第二基板，设置有亮度变化检测电路，所述亮度变化检测电路基于由转换电路转换的电压信号来检测所述入射光的亮度变化，所述转换电路将所述光电流转换成所述电压信号，所述第二基板接合至所述第一基板， 所述固态成像元件包括： 遮光单元，设置在所述第一基板或所述第二基板的至少任意一个中，并且遮挡设置在所述第二基板中的有源元件与所述光电二极管之间的光；以及 遮光构件，嵌入在从相邻的光电二极管之间的边界区域朝向第一布线层的内部延伸的沟槽中，所述第一布线层设置在所述第一基板中的包括所述光电二极管的半导体层与所述第二基板之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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