中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司周飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823902B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110119086.X，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由周飞设计研发完成，并于2021-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：所述开口暴露出部分第一鳍部、部分第二鳍部和部分第三区，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述开口内的第三区上具有第一隔离结构，所述第一隔离结构包括第一隔离层以及位于第一隔离层上的第二隔离层，所述第一隔离层在所述第二方向上的尺寸大于所述第二隔离层在所述第二方向上的尺寸；在所述开口内第一区上形成第一栅极；在所述开口内第二区上形成第二栅极。所述开口沿所述第二方向上顶部大于底部的尺寸，利于栅极材料在所述开口内的填充，避免所述开口顶部先于所述开口底部提前封闭的情况，提高所形成的第一栅极和第二栅极的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括基底，所述基底包括第一区、第二区和第三区，所述第三区位于所述第一区和所述第二区之间，且所述第三区两侧分别与所述第一区和所述第二区相邻，所述衬底还包括位于所述第一区上的若干第一鳍部，以及位于所述第二区上的若干第二鳍部，所述第一鳍部和所述第二鳍部均沿第一方向延伸； 位于衬底上的层间介质层，所述层间介质层内具有沿第二方向自第一区延伸至所述第二区的开口，所述开口暴露出部分第一鳍部、部分第二鳍部和部分第三区，所述第二方向垂直于所述第一方向； 位于所述开口内第三区上的第一隔离结构，所述第一隔离结构包括第一隔离层以及位于第一隔离层上的第二隔离层，所述第一隔离层在所述第二方向上的尺寸大于所述第二隔离层在所述第二方向上的尺寸，所述第一隔离层的厚度大于所述第二隔离层的厚度； 位于所述开口内第一区上的第一栅极，所述第一栅极位于所述第一鳍部的部分侧壁和顶部表面； 位于所述开口内第二区上的第二栅极，所述第二栅极位于所述第二鳍部的部分侧壁和顶部表面。
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