中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司王锦喆获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利一种半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110113838.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体结构是由王锦喆设计研发完成，并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构，包括：半导体衬底；硅通孔结构，位于所述半导体衬底中，所述硅通孔结构具有第一侧；至少一个第一电容沟槽单元，竖直分布于所述第一侧的半导体衬底中，所述第一电容沟槽单元包括若干平行电容沟槽组和若干倾斜电容沟槽组，其中，与所述硅通孔结构相对的电容沟槽组为倾斜电容沟槽组。本申请技术方案的半导体结构能够解决制作过程中TSV处的局部应力问题，实现2.5DInterposer中DTC和TSV的集成制造。
本发明授权一种半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体衬底； 硅通孔结构，位于所述半导体衬底中，所述硅通孔结构具有第一侧； 至少一个第一电容沟槽单元，竖直分布于所述第一侧的半导体衬底中，所述第一电容沟槽单元包括若干平行电容沟槽组和若干倾斜电容沟槽组，其中，与所述硅通孔结构相对的电容沟槽组为倾斜电容沟槽组，所述平行电容沟槽组包括若干沿第一方向平行分布的第一电容沟槽，所述倾斜电容沟槽组包括若干沿第二方向平行分布的第二电容沟槽，且所述第一方向和所述第二方向所在直线之间的锐夹角为大于0°且小于90°。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区文昌大道18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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