中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司范伟海获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利芯片失效参数的预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114791553B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110107069.4，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权芯片失效参数的预测方法是由范伟海设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片失效参数的预测方法在说明书摘要公布了：一种芯片失效参数的预测方法，包括：提供若干测试芯片；对若干测试芯片进行失效测试，获取N个测试数据；对N个测试数据进行分段处理，获取n个模型数据段，每段所述模型数据段中包括Mi个所述测试数据；获取每段所述模型数据段的线性拟合模型；获取每段模型数据段相对于所述测试数据的模型占比；根据每段所述模型数据段的线性拟合模型和每段所述模型数据段的模型占比，获取芯片预测失效模型。通过将每段模型数据段下的线性拟合模型均考虑进去，并按照对应的模型占比获得权重，使得最终获取的芯片预测失效模型更为全面的反应出若干所述测试数据的分布特点，进而使得后续通过所述芯片预测失效模型所获取的芯片预测失效参数的精确度也有效提升。
本发明授权芯片失效参数的预测方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片失效参数的预测方法，其特征在于，包括： 提供若干测试芯片； 对若干所述测试芯片进行失效测试，获取N个测试数据，每个所述测试数据包括：失效时间以及与所述失效时间对应的芯片失效率； 对N个所述测试数据进行分段处理，获取n个模型数据段，每段所述模型数据段中包括个所述测试数据，且所述≤N； 获取每段所述模型数据段的线性拟合模型； 获取每段所述模型数据段相对于所述测试数据的模型占比，所述模型占比=N； 根据每段所述模型数据段的线性拟合模型和每段所述模型数据段的模型占比，获取芯片预测失效模型。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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