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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792733B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110107070.7，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由纪登峰;金懿设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，衬底包括第一区和第二区，第一区上具有第一鳍部，第二区上具有第二鳍部；第一栅极结构、第二栅极结构、第一源漏掺杂层、第二源漏掺杂层和第一介质层，第一区上的第一介质层的顶部表面低于第二区上的第一介质层的顶部表面；位于第一区上的第一介质层上的第一阻挡层；第一开口和第二开口，第一开口位于第一阻挡层和第一区上的第一介质层内，第二开口位于第二区上的第一介质层内。由于第一阻挡层的刻蚀速率小于第一介质层的刻蚀速率，因此在形成第一开口过程中，通过第一阻挡层消耗一定的刻蚀时间，使得最终刻蚀第一源漏掺杂层的时间减少，避免刻蚀穿透第一源漏掺杂层，提升最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区上具有若干相互分立的第一鳍部，所述第二区上具有若干相互分立的第二鳍部，所述第一鳍部和所述第二鳍部分别沿第一方向延伸； 若干第一栅极结构、若干第二栅极结构、若干第一源漏掺杂层、若干第二源漏掺杂层和第一介质层，所述第一栅极结构横跨所述第一鳍部，相邻的所述第一栅极结构之间沿所述第一方向具有第一尺寸，所述第二栅极结构横跨所述第二鳍部，相邻的所述第二栅极结构之间沿所述第一方向具有第二尺寸，所述第二尺寸小于所述第一尺寸，所述第一源漏掺杂层位于所述第一栅极结构两侧的第一鳍部内，所述第二源漏掺杂层位于所述第二栅极结构两侧的第二鳍部内，所述第二源漏掺杂层的厚度大于所述第一源漏掺杂层的厚度，所述第一介质层覆盖所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的侧壁，且位于所述第一区上的所述第一介质层的顶部表面低于位于所述第二区上的所述第一介质层的顶部表面； 第一阻挡层，所述第一阻挡层位于所述第一区上的第一介质层上； 第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述第一阻挡层和所述第一区上的第一介质层内，所述第一开口暴露出所述第一源漏掺杂层，所述第二开口位于所述第二区上的第一介质层内，所述第二开口暴露出所述第二源漏掺杂层；其中， 所述第一开口通过刻蚀去除部分所述第一介质层和所述第一阻挡层形成，所述第二开口通过刻蚀去除部分所述第一介质层形成，所述第一阻挡层的刻蚀速率小于所述第一介质层的刻蚀速率。

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